Установки плазмохимического травления
Плазмохимическое травление широко используется в микроэлектронике для создания сложных и миниатюрных структур на поверхности полупроводниковых материалов. Эта технология позволяет точно контролировать глубину и профиль травления, что важно для производства интегральных схем, полупроводниковых приборов и других электронных компонентов.
-
Технология плазмохимического травления
преимущества Технологии:
- высокая скорость и эффективность процесса;
- обеспечение высокой чистоты процесса и снижение риска загрязнения и дефектов в обрабатываемых материалах;
- возможность интеграции с другими производственными процессами, такими как литография и осаждение тонких плёнок;
- возможность разработки и производства новых типов электронных компонентов и устройств;
- экологичность процесса.
В целом, оборудование плазмохимического травления является важным инструментом для современной микроэлектронной промышленности, позволяющим создавать сложные и миниатюрные устройства с высокой точностью и эффективностью.
Сферы возможного использования
- Оборудование плазмохимического травления используется в различных областях промышленности для создания микроэлектронных устройств, таких как интегральные схемы, полупроводниковые приборы и другие электронные компоненты.
- В каталоге НПП «ЭСТО» представлено оборудование для реализации процессов плазмохимического травления по технологиям RIE (Reactive Ion Etch) и ICP (Inductively Coupled Plasma). Методы реактивного ионного травления и индуктивно-связанной плазмы позволяют точно контролировать глубину и профиль травления, что важно для создания сложных микроструктур. Эти методы широко используются в производстве интегральных схем, микроэлектромеханических систем (MEMS) и других электронных устройств.
- При необходимости возможна разработка и производство установок, реализующих технологию PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition). PECVD осуществляет химическое осаждение тонких плёнок из газовой фазы при низком давлении с использованием высокочастотной плазмы, то есть усиленный плазмой CVD-процесс, который использует плазму для увеличения скорости реакции прекурсоров. PECVD работает при более низких температурах, что критично при производстве полупроводников.
Новости
Подробнее
Нажимая на кнопку вы соглашаетесь с условиями политики конфиденциальности