ОПИСАНИЕ
Предназначена для плазмохимического травления критических слоев материалов в полупроводниковых производствах СБИС уровня 65–28 нм. Используется для травления оксидов, нитридов, low–k, для удаления фоторезиста in-situ, а также скоростноготравления кремния TSV, твердых масок, аморфногоуглерода, поликремния и др.
Особенности установки:
Основой установок ЭСТОХОРС является уникальный источник Groovy ICP, который объединяет преимущества базовых источников плазмы, нивелируя недостатки. ЭСТОХОРС Groovy ICP позволяет реализовывать все плазмохимические процессы в единой базовой процессной камере, меняя лишь внутреннюю оснастку. Единая конфигурация реакторов позволяет создать полную линейку плазмохимических реакторов и достичь высокой экономической эффективности машиностроительного производства и универсальности технологий. Уникальность ЭСТОХОРС Groovy ICP в способности независимо и одновременно задавать физические и химические условия процесса в радиальном направлении. Это единственный в мире промышленный источник, позволяющий одновременно осуществлять локальный контроль плотности плазмы и ее химического состава по радиусу пластины. Технологи могут осуществлять процессы при ранее не достижимых сочетаниях параметров: градиент скорости процесса по радиусу пластины можно менять при неизменных внешних параметрах разряда. Таким образом, достигается максимально широкое технологическое окно параметров и простота достижения предельной равномерности процесса по пластине. ЭСТОХОРС Groovy ICP позволяет задавать произвольно вогнутые и выпуклые распределения скорости процесса по пластине. ЭСТОХОРС Groovy ICP в варианте отдельно стоящей системы комплектуется различными вакуумными загрузчиками пластин, включая кассетные. Минимальный вариант – ручной загрузочный шлюз, максимальный – автоматическая кластерная система с одной, двумя или тремя ПК и фронтальным SMIF модулем.
Плазмохимическое травление слоев
Одним из методов обработки в условиях различных промышленных предприятий является плазмохимическое травление слоев, которое состоит из ряда технологических параметров, позволяющих влиять на скорость процесса и получение поверхности с определенными характеристиками и качеством. Чтобы купить такое оборудование, компания НПП «ЭСТО» предлагает обратиться к опытным специалистам для уточнения всех интересующих вопросов.
Суть процесса кроется в том что, наблюдается возбуждение разряда в активных газах, посредством чего происходит образование химически активных частиц – радикалов и ионов. При их взаимодействии с поверхностью возникают особые летучие соединения, удаляемые из зоны реакции посредством использования системы откачки. Сравнительно с ионным методом в данном случае удается достичь повышенной селективности, то есть избирательности воздействия. В результате убирается поверхностный слой материалов благодаря химической реакции между активными частицами и атомами вещества, подвергаемого процедуре.
Технические характеристики
Скачать| Размер обрабатываемых пластин | 100, 150, 200 мм |
| Способ загрузки изделий | автоматическая загрузка в камеру и обратно |
| Источник плазмы | Balanced ICP |
| Частота источника плазмы | 13,56 МГц |
| Мощность | до 2000 Вт |
| Предельное остаточное давление в рабочей камере | 3x10-4 Па |
Чертежи
Смотрите также:
Нажимая на кнопку вы соглашаетесь с условиями политики конфиденциальности